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2N6055 | POWER TRANSISTORS(8A,100W) 2N6053,2N6054->PNP 2N6055,2N6056->NPN DARLINGTOPN8AMPERECOMPLEMEMTARYSILICONTRANSISTORS60-80Volts100Watts | MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司 | MOSPEC | |
2N6055 | Power Transistors PowerTransistors | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商 | ETC | |
2N6055 | Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3package ·Lowcollectorsaturationvoltage ·DARLINGTON ·Complementtotype2N6053;2N6054 APPLICATIONS ·General-purposepoweramplifierandlowfrequencyswithingapplications | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | |
2N6055 | Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3package ·Lowcollectorsaturationvoltage ·DARLINGTON ·Complementtotype2N6053;2N6054 APPLICATIONS ·General-purposepoweramplifierandlowfrequencyswithingapplications | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | |
2N6055 | COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON COMPLEMENTARYPOWERDARLINGTON The2N6053isasiliconepitaxialbasePNPtransistorinmonolithicDarlingtonconfigurationandaremountedinJedecTO-3metalcase. Theyareintendedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryNPNtypeisthe2N6055 | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | |
2N6055 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DARLINGTON8AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS 60-80VOLTS75,100WATTS | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
2N6055 | COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N6053,6055SeriestypesareComplementarySiliconDarlingtonPowerTransistorsdesignedforamplifierandswitchingapplications. | CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體 | Central | |
2N6055 | Silicon NPN Power Transistors | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | |
2N6055 | POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | |
2N6055 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-N+Darl+Di
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
60V
- 最大電流允許值：
8A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號(hào)：
BDV65,BDX63,BDX65,FH8C,MJ1000,MJ1001,TIP140,
- 最大耗散功率：
100W
- 放大倍數(shù)：
β>750
- 圖片代號(hào)：
E-44
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
8
- wtest：
100
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
2N6055
- 功能描述：
達(dá)林頓晶體管 NPN Pwr Darlington
- RoHS：
否
- 制造商：
Texas Instruments
- 配置：
Octal
- 晶體管極性：
NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
50 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO：
集電極—基極電壓
- 最大直流電集電極電流：
0.5 A
- 最大工作溫度：
+ 150 C
- 安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
- 封裝/箱體：
SOIC-18
- 封裝：
Reel
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
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