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2N6042 | POWER TRANSISTORS(10A,80W) ...designedforgeneral–purposeamplifierandlow–speedswitchingapplications. FEATURES: ?Collector–EmitterSustainingVoltage- VCEO(sus)=60V(Min)–2N6040,2N6043 =80V(Min)–2N6041,2N6044 =100V(Min)–2N6042,2N6045 ?Collecto | MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司 | MOSPEC | |
2N6042 | DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS ...designedforgeneral–purposeamplifierandlow–speedswitchingapplications. FEATURES: ?Collector–EmitterSustainingVoltage- VCEO(sus)=60V(Min)–2N6040,2N6043 =80V(Min)–2N6041,2N6044 | bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半導(dǎo)體公司 | boca | |
2N6042 | NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N5294,5296and5298typesaresiliconNPNtransistorsthataremanufacturedbytheepitaxialbaseprocessanddesignedforapplicationsthatrequirepoweramplifierandmediumswitchingcapablilites. | CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體 | Central | |
2N6042 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Plasticmedium?powercomplementarysilicontransistorsaredesignedforgeneral?purposeamplifierandlow?speedswitchingapplications. Features ?HighDCCurrentGain?hFE=2500(Typ)@IC=4.0Adc ?Collector?EmitterSustainingVoltage?@100mAdc? VCEO(sus)=60Vdc(M | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | |
2N6042 | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N6040and2N6043SeriestypesareComplementarySiliconPowerTransistors,manufacturedbytheepitaxialbaseprocess,designedforgeneralpurposeamplifierapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER | CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體 | Central | |
2N6042 | PNP DARLINGTON TRANSISTOR COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
2N6042 | POWER DERATING COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
2N6042 | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS | CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體 | Central | |
2N6042 | isc Silicon PNP Darlington Power Transistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | |
2N6042 | Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
100V
- 最大電流允許值：
8A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BD650,BD702,BD902,BDW74C,BDX54C,FC75B,
- 最大耗散功率：
75W
- 放大倍數(shù)：
β>1000
- 圖片代號(hào)：
B-45
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
8
- wtest：
75
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
2N6042
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
PNP - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
2V @ 12mA，3A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
20μA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 3A，4V
- 工作溫度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220
- 描述：
TRANS PNP DARL 100V 8A TO220
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONS |
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公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢(shì)庫(kù)存! |
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詢價(jià) |
