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2N6057 | POWER TRANSISTORS(12A,150W) DARLINGTON12AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS150WATTS ...designedlorgeneral-purposepoweramplifierandlowfrequencyswitchingapplications FEATURES: *MonolithicConstructionwithButt-inBase-EmitterShuntResistors. *HighDCCurrentGain- | MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司 | MOSPEC | |
2N6057 | DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON-POWER TRANSISTORS DARLINGTON12AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS150WATTS | bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半導(dǎo)體公司 | boca | |
2N6057 | Power Transistors PowerTransistors | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商 | ETC | |
2N6057 | POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS The2N6050,2N6051and2N6052aresiliconepitaxial-basetransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationmountedinJedecTO-3metalcase. Theyareintededforuseinpowerlinearandlowfrequencyswitchingapplications. ThecomplementaryNPNtypesar | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | |
2N6057 | DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON-POWER TRANSISTORS DARLINGTON12AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS150WATTS ...designedlorgeneral-purposepoweramplifierandlowfrequencyswitchingapplications FEATURES: *MonolithicConstructionwithButt-inBase-EmitterShuntResistors. *HighDCCurrentGain- | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
2N6057 | SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N6050,2N6057seriestypesarecomplementarysiliconDarlingtonpowertransistors,manufacturedbytheepitaxialbaseprocess,designedforhighgainamplifierandswitchingapplications. | CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體 | Central | |
2N6057 | DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON-POWER TRANSISTORS DARLINGTON12AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS150WATTS ...designedlorgeneral-purposepoweramplifierandlowfrequencyswitchingapplications FEATURES: *MonolithicConstructionwithButt-inBase-EmitterShuntResistors. *HighDCCurrentGain- | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
2N6057 | POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | |
2N6057 | isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | |
2N6057 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-N+Darl+Di
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開(kāi)關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
60V
- 最大電流允許值：
12A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號(hào)：
BDV67,BDW83A,BDX65,BDX67,BDX87A,FH9C,MJ4033,TIP640,
- 最大耗散功率：
150W
- 放大倍數(shù)：
β>750
- 圖片代號(hào)：
E-44
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
12
- wtest：
150
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
2N6057
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
NPN - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
2V @ 24mA， 6A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
1mA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 6A，3V
- 工作溫度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-204AA，TO-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-204AA（TO-3）
- 描述：
POWER BJT
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-3 |
10000 |
全新 |
詢價(jià) | |||
MOTOROLA |
24+ |
TO-3 |
1500 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
ON |
24+ |
TO-3 |
5000 |
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
BOCA |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
MOTOROLA/摩托羅拉 |
專業(yè)鐵帽 |
TO-3 |
1500 |
原裝鐵帽專營(yíng),代理渠道量大可訂貨 |
詢價(jià) | ||
MOTOROLA/摩托羅拉 |
專業(yè)鐵帽 |
TO-3 |
67500 |
鐵帽原裝主營(yíng)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
MOTO |
24+ |
35210 |
一級(jí)代理/放心采購(gòu) |
詢價(jià) | |||
MOT |
94 |
4 |
公司優(yōu)勢(shì)庫(kù)存 熱賣中!! |
詢價(jià) | |||
ON/安森美 |
2048+ |
TO-3 |
9851 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十! |
詢價(jià) | ||
MOTO |
23+ |
5000 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
