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VNN1NV04PTR-E	文件：416.49 Kbytes Page：28 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VNN1NV04PTR-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA 類別：集成電路（IC）配電開(kāi)關(guān)，負(fù)載驅(qū)動(dòng)器描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VNN1NV04TR	文件：538.37 Kbytes Page：33 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VNN1NV04TR-E	文件：546.08 Kbytes Page：33 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VNS1NV04	文件：406.97 Kbytes Page：33 Pages	fullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
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VNS1NV04	文件：392.63 Kbytes Page：18 Pages	??MNIFETII??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET Description TheVND1NV04,VNN1NV04,VNS1NV04aremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCupto50KHzapplications. Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotect	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VNS1NV04D	文件：244.38 Kbytes Page：14 Pages	??MNIFETII??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET DESCRIPTION TheVNS1NV04DisadeviceformedbytwomonolithicOMNIFETIIchipshousedinastandardSO-8package.TheOMNIFETIIaredesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology:theyareintendedforreplacementofstandardPowerMOSFETSfromDCupto50KHzapplications. ■LINEA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VNS1NV04D	文件：249.88 Kbytes Page：14 Pages	??MNIFETII??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET DESCRIPTION TheVNS1NV04DisadeviceformedbytwomonolithicOMNIFETIIchipshousedinastandardSO-8package.TheOMNIFETIIaredesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology:theyareintendedforreplacementofstandardPowerMOSFETSfromDCupto50KHzapplications. ■LINEA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VNS1NV04D-E	文件：252.12 Kbytes Page：14 Pages	??MNIFETII??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET DESCRIPTION TheVNS1NV04DisadeviceformedbytwomonolithicOMNIFETIIchipshousedinastandardSO-8package.TheOMNIFETIIaredesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology:theyareintendedforreplacementofstandardPowerMOSFETSfromDCupto50KHzapplications. ■LINEA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VNS1NV04DP-E	文件：383.42 Kbytes Page：24 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET Description TheVNS1NV04DP-EisadeviceformedbytwomonolithicOMNIFETIIchipshousedinastandardSO-8package.TheOMNIFETIIaredesignedinSTMicroelectronicsVIPower?M0-3technology:theyareintendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCupto50KHzapplications.Builtin	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VNS1NV04DPTR-E	文件：383.42 Kbytes Page：24 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET Description TheVNS1NV04DP-EisadeviceformedbytwomonolithicOMNIFETIIchipshousedinastandardSO-8package.TheOMNIFETIIaredesignedinSTMicroelectronicsVIPower?M0-3technology:theyareintendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCupto50KHzapplications.Builtin	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VNS1NV04P-E	文件：416.49 Kbytes Page：28 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VNS1NV04PTR-E	文件：416.49 Kbytes Page：28 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VNS1NV04TR	文件：538.37 Kbytes Page：33 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
VNN1NV04PTR-E
制造商：
STMicroelectronics
類別：
集成電路（IC） > 配電開(kāi)關(guān)，負(fù)載驅(qū)動(dòng)器
系列：
OMNIFET II?, VIPower?
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
開(kāi)關(guān)類型：
通用
輸出數(shù)：
1
比率 - 輸入：
1：1
輸出配置：
低端
輸出類型：
N 通道
接口：
開(kāi)/關(guān)
電壓 - 負(fù)載：
36V（最大）
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：
不需要
電流 - 輸出（最大值）：
1.7A
導(dǎo)通電阻（典型值）：
250 毫歐（最大）
輸入類型：
非反相
故障保護(hù)：
限流（固定），超溫，過(guò)壓
工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝：
SOT-223
封裝/外殼：
TO-261-4，TO-261AA
描述：
IC PWR DRIVER N-CHAN 1

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市明嘉萊科技有限公司	VNN1NV04PTR-E	ST/意法	24+	NA	860000	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市星宇佳科技有限公司	VNN1NV04PTR-E	STM	23+	SOT-223-3	26000		詢價(jià)
深圳市萊克訊科技有限公司	VNN1NV04PTR-E	ST/意法	21+	NA	12500	只做全新原裝公司現(xiàn)貨特價(jià)	詢價(jià)
深圳市納艾斯科技有限公司	VNN1NV04PTR-E	ST	2020+	SOT-223	8000	只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增	詢價(jià)
深圳市億智騰科技有限公司	VNN1NV04PTR-E	ST/意法	24+	SOT223	28250	原裝現(xiàn)貨/15年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)歡迎詢價(jià)	詢價(jià)
深圳市興燦科技有限公司	VNN1NV04PTR-E	ST	24+	N/P	16500	代理授權(quán)直銷,原裝現(xiàn)貨,假一罰十,長(zhǎng)期穩(wěn)定供應(yīng)	詢價(jià)
中科國(guó)際電子(深圳)有限公司	VNN1NV04PTR-E	ST/意法	22+	SOT-223-3	1245	原廠原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市訊順達(dá)科技有限公司	VNN1NV04PTR-E	ST	18+	SOT223	9000	全新原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市芯祺盛科技有限公司	VNN1NV04PTR-E	ST	09+	SOT223	495	公司原裝進(jìn)口現(xiàn)貨可含稅	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	VNN1NV04PTR-E	ST/意法	21+	SOT223	9850	只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!	詢價(jià)

更多VNN1NV04PTR-E供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-23 8:10:00

產(chǎn)品屬性

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