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UPA2811T1L

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheμPA2811T1LisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconverterandpowermanagementapplicationsofportableequipment. Features ?VDSS?30V(TA=25°C) ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=15mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?19A) ?4.5VGate-driveavaila

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA2811T1L-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheμPA2811T1LisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconverterandpowermanagementapplicationsofportableequipment. Features ?VDSS?30V(TA=25°C) ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=15mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?19A) ?4.5VGate-driveavaila

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UPA2811T1L-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheμPA2811T1LisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconverterandpowermanagementapplicationsofportableequipment. Features ?VDSS?30V(TA=25°C) ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=15mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?19A) ?4.5VGate-driveavaila

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更多UPA2811T1L供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-8 16:43:00

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