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UPA507TE-T2-A

MOS FET WITH SCHOTTKY BARRIER DIODE

P-CHANNELMOSFETWITHSCHOTTKYBARRIERDIODE FORSWITCHING DESCRIPTION TheμPA507TEisaswitchingdevice,whichcanbedrivendirectly bya1.8Vpowersource. ThisdeviceincorporatesaMOSFET,whichfeaturesalowon-state resistanceandexcellentswitchingcharacteristicsandalow

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA507TE-T2-AT

MOS FET WITH SCHOTTKY BARRIER DIODE

P-CHANNELMOSFETWITHSCHOTTKYBARRIERDIODE FORSWITCHING DESCRIPTION TheμPA507TEisaswitchingdevice,whichcanbedrivendirectly bya1.8Vpowersource. ThisdeviceincorporatesaMOSFET,whichfeaturesalowon-state resistanceandexcellentswitchingcharacteristicsandalow

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更多UPA507TE-T2-A供應(yīng)商 更新時間2024-10-26 10:20:00

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