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UPA2807T1L

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheμPA2807T1LisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofa notebookcomputerandLithium-Ionbatteryprotectioncircuit. Features ?VDSS30V(TA=25°C) ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=4.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=34A) ?4.5

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA2807T1L-E1-AT

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheμPA2807T1LisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofa notebookcomputerandLithium-Ionbatteryprotectioncircuit. Features ?VDSS30V(TA=25°C) ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=4.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=34A) ?4.5

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UPA2807T1L-E2-AT

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheμPA2807T1LisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofa notebookcomputerandLithium-Ionbatteryprotectioncircuit. Features ?VDSS30V(TA=25°C) ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=4.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=34A) ?4.5

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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票
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更多UPA2807T1L供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-9 8:30:00

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