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UPA2805UT1L

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2805UT1LisN-channelMOSFETdesignedforDC/DCconverterand powermanagementapplicationsofportableequipments. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=10mΩMAX.(VGS=10V,ID=25A) RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=13A) ?LowQG ?Thintypesurf

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UPA2805UT1L-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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UPA2805UT1L-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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更多UPA2805UT1L供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-9 9:20:00

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