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UPA2803T1L-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2803isN-channelMOSFETdesignedforDC/DCconverterandpower managementapplicationsofportableequipments. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=5.8mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=20A) RDS(on)2=9.5mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=10A) ?Built-ingateprotectiond

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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