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UPA2793GR	文件：349.63 Kbytes Page：14 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2793GRisN-andP-channelMOSFieldEffect TransistorsdesignedforMotorDriveapplication. FEATURES ?Lowon-stateresistance N-channelRDS(on)1=15mΩMAX.(VGS=10V,ID=3.5A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=3.5A) P-channelRDS(on)1=26mΩMAX.(VGS	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
UPA2793GR	文件：2.53356 Mbytes Page：14 Pages	N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
UPA2793GR-E1-AZ	文件：349.63 Kbytes Page：14 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2793GRisN-andP-channelMOSFieldEffect TransistorsdesignedforMotorDriveapplication. FEATURES ?Lowon-stateresistance N-channelRDS(on)1=15mΩMAX.(VGS=10V,ID=3.5A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=3.5A) P-channelRDS(on)1=26mΩMAX.(VGS	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
UPA2793GR-E2-AZ	文件：349.63 Kbytes Page：14 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2793GRisN-andP-channelMOSFieldEffect TransistorsdesignedforMotorDriveapplication. FEATURES ?Lowon-stateresistance N-channelRDS(on)1=15mΩMAX.(VGS=10V,ID=3.5A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=3.5A) P-channelRDS(on)1=26mΩMAX.(VGS	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2793	文件：50.51 Kbytes Page：2 Pages	diplexerwithband1from174to240MHzandband2from88to180MHz	KR KR Electronics, Inc.	KR
2793A	文件：31.03 Kbytes Page：2 Pages	MODEMMAGNETICSEuropeanV.34ModemTransformer	bel Bel Fuse Inc.	bel
LM2793	文件：281.81 Kbytes Page：12 Pages	LowNoiseWhiteLEDConstantCurrentSupplywithDualFunctionBrightnessControl	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
LM2793	文件：211.77 Kbytes Page：10 Pages	LowNoiseWhiteLEDConstantCurrentSupplywithDualFunctionBrightnessControl	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
LM2793LD	文件：211.77 Kbytes Page：10 Pages	LowNoiseWhiteLEDConstantCurrentSupplywithDualFunctionBrightnessControl	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
LM2793LDX	文件：211.77 Kbytes Page：10 Pages	LowNoiseWhiteLEDConstantCurrentSupplywithDualFunctionBrightnessControl	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
MIC2793	文件：798.76 Kbytes Page：18 Pages	SupervisorwithHigh-Accuracy,Ultra-FastPropagationDelay,andCapacitor-ProgrammableResetDelay	MicrelMicrel Semiconductor 麥瑞半導(dǎo)體	Micrel
SAB2793B	文件：1.60542 Mbytes Page：30 Pages	AdvancedFloppyDiskFormatter/ControllerFamily	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
TZ2793A	文件：123.93 Kbytes Page：8 Pages	CrystalUnitSMD2.5x2.050MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount2.5mmx2.0mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
U2793B	文件：255.55 Kbytes Page：12 Pages	300MHZQUADRATUREMODULATOR	AtmelAtmel Corporation 愛特梅爾愛特梅爾公司	Atmel
U2793B	文件：329.11 Kbytes Page：13 Pages	300-MHzQuadratureModulator	AtmelAtmel Corporation 愛特梅爾愛特梅爾公司	Atmel
U2793B-MFS	文件：255.55 Kbytes Page：12 Pages	300MHZQUADRATUREMODULATOR	AtmelAtmel Corporation 愛特梅爾愛特梅爾公司	Atmel
U2793B-NFSH	文件：255.55 Kbytes Page：12 Pages	300MHZQUADRATUREMODULATOR	AtmelAtmel Corporation 愛特梅爾愛特梅爾公司	Atmel
U2793B-NFSH	文件：329.11 Kbytes Page：13 Pages	300-MHzQuadratureModulator	AtmelAtmel Corporation 愛特梅爾愛特梅爾公司	Atmel
UPA2793AGR	文件：349.14 Kbytes Page：14 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2793AGRisN-andP-channelMOSFieldEffect TransistorsdesignedforMotorDriveapplication. FEATURES ?Lowon-stateresistance N-channelRDS(on)1=15mΩMAX.(VGS=10V,ID=3.5A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=3.5A) P-channelRDS(on)1=26mΩMAX.(VGS	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
UPA2793AGR	文件：1.19782 Mbytes Page：14 Pages	N-andP-Channel40V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI

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更多UPA2793GR供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-27 14:00:00

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