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STGP7H60DF

Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed

Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfieldstop structure.ThisIGBTseriesofferstheoptimum compromisebetweenconductionandswitching losses,maximizingtheefficiencyofveryhigh frequencyconverters.Furthermore,apositive VCE(s

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體(ST)集團

STGP7H60DF

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:TO-220-3 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 14A 88W TO-220AB

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體(ST)集團

MBR7H60

SchottkyBarrierRectifier

FEATURES ?Guardringforovervoltageprotection ?Lowerpowerlosses,highefficiency ?Lowforwardvoltagedrop ?Lowleakagecurrent ?Highforwardsurgecapability ?Highfrequencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderd

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

MBR7H60

SchottkyBarrierRectifiers

VAISH

Vaishali Semiconductor

MBR7H60

SchottkyBarrierRectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

MBRB7H60

SchottkyBarrierRectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

MBRB7H60

SchottkyBarrierRectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

MBRF7H60

SchottkyBarrierRectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

MBRFB7H60

SchottkyBarrierRectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

STGB7H60DF

Trenchgatefield-stopIGBT,Hseries600V,7Ahighspeed

Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfieldstop structure.ThisIGBTseriesofferstheoptimum compromisebetweenconductionandswitching losses,maximizingtheefficiencyofveryhigh frequencyconverters.Furthermore,apositive VCE(s

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體(ST)集團

STGF7H60DF

Trenchgatefield-stopIGBT,Hseries600V,7Ahighspeed

Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfieldstop structure.ThisIGBTseriesofferstheoptimum compromisebetweenconductionandswitching losses,maximizingtheefficiencyofveryhigh frequencyconverters.Furthermore,apositive VCE(s

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體(ST)集團

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    STGP7H60DF

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.95V @ 15V,7A

  • 開關能量:

    99μJ(開),100μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    30ns/160ns

  • 測試條件:

    400V,7A,47 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    IGBT 600V 14A 88W TO-220AB

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST/意法半導體
22+
TO-220-3
6001
原裝正品現(xiàn)貨 可開增值稅發(fā)票
詢價
ST
23+
TO-220
12500
ST系列在售,可接長單
詢價
ST/意法半導體
2023
TO-220-3
6000
公司原裝現(xiàn)貨/支持實單
詢價
ST
1537+
TO-220AB
10000
原裝正品
詢價
ST
1537+
TO-220AB
985
原裝進口公司現(xiàn)貨
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STM
1809+
TO-220
3675
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ST/意法半導體
21+
TO-220-3
8800
公司只做原裝正品
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ST/意法
22+
TO-220AB
9600
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應,支持實單!
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ST/意法
23+
TO-220
10000
公司只做原裝正品
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NA
906
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更多STGP7H60DF供應商 更新時間2024-11-18 8:31:00