首頁(yè)>STGP10H60DF>芯片詳情

STGP10H60DF 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

STGP10H60DF參考圖片

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠(chǎng)家型號(hào)：

    STGP10H60DF

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)商：

    ST

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    25000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-220

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    20+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-8-2 9:54:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠(chǎng)料號(hào)：STGP10H60DF品牌：ST

全新原裝現(xiàn)貨 假一賠十

STGP10H60DF是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TO-220/TO-220-3的STGP10H60DF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    STGP10H60DF

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱(chēng)：

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    24 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    1735.83 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STGP10H60DF

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類(lèi)型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.95V @ 15V，10A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    83μJ（開(kāi)），140μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    19.5ns/103ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，10A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    IGBT 600V 20A 115W TO220

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市鵬錦翔科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張經(jīng)理

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北新欣大廈B座320

相近型號(hào)