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STGD18N40LZT4 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

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  • 廠家型號(hào)：

    STGD18N40LZT4

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ST/意法

  • 庫存數(shù)量：

    26800

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-252

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2223+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-3 14:04:00

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原廠料號(hào)：STGD18N40LZT4品牌：ST/意法

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STGD18N40LZT4是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/意法/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TO-252/TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63的STGD18N40LZT4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    STGD18N40LZT4

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    18 頁

  • 文件大小：

    636.58 kb

  • 資料說明：

    EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STGD18N40LZT4

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101, PowerMESH?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.7V @ 4.5V，10A

  • 輸入類型：

    邏輯

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    650ns/13.5μs

  • 測試條件：

    300V，10A，5V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    IGBT 420V 25A 125W DPAK

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市英科美電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張先生

  • 手機(jī)：

    15507502698

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23903058

  • 傳真：

    0755-23905869

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟730

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