首頁>STGD3NB60MT4>詳情

STGD3NB60MT4_STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體_IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 3 Amp中科航電

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號：

    STGD3NB60MT4

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

  • 庫存數(shù)量：

    93480

  • 產(chǎn)品封裝：

    原廠原封

  • 生產(chǎn)批號：

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-8 13:48:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：STGD3NB60MT4品牌：ST

集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)

  • 芯片型號：

    STGD3NB60MT4

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)

  • 資料說明：

    IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 3 Amp

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    STGD3NB60MT4

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 3 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    中科航電（深圳）電子集團(tuán)有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    林翔

  • 手機(jī)：

    18138867084

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83229017/4006767582

  • 傳真：

    0755-83229017

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華富路1046號華康二棟521室

相近型號