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STGD18N40LZT4_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-意法半導(dǎo)體

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原廠料號：STGD18N40LZT4品牌：STMicroelectronics

資料說明：IGBT 420V 25A 125W DPAK

STGD18N40LZT4是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63的STGD18N40LZT4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    stgd18n40lzt4

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 資料說明：

    IGBT 420V 25A 125W DPAK

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    STGD18N40LZT4

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101, PowerMESH?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.7V @ 4.5V，10A

  • 輸入類型：

    邏輯

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    650ns/13.5μs

  • 測試條件：

    300V，10A，5V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    IGBT 420V 25A 125W DPAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST(意法半導(dǎo)體)
23+
TO-252
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ST
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TO-252
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ST
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TO252
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只做原裝正品現(xiàn)貨
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TO-252
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只做原廠渠道 可追溯貨源
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ST/意法半導(dǎo)體
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DPAK-3
6004
原裝正品現(xiàn)貨 可開增值稅發(fā)票
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ST
新批次
原裝正品
33000
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 詢價(jià)
ST/意法
22+
TO-252
25000
原裝正品
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STMicroelectronics
21+
TO252
50000
只有原裝,價(jià)格優(yōu)勢
 詢價(jià)
ST
2024
TO-252
12784
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售
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ST
23+
DPAK
12500
ST系列在售,可接長單
 詢價(jià)

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