首頁>STD8NM60N>芯片詳情

STD8NM60N_STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體_MOSFET N-Channel 600V Pwr Mosfet鵬錦翔科技1部

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    STD8NM60N

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ST

  • 庫存數(shù)量：

    25000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-252

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    20+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2024-8-2 9:54:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：STD8NM60N品牌：ST

全新原裝現(xiàn)貨 假一賠十

  • 芯片型號(hào)：

    STD8NM60N

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    19 頁

  • 文件大?。?/span>

    706.65 kb

  • 資料說明：

    N-channel 600 V, 0.56 廓,7 A MDmesh??II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    STD8NM60N

  • 功能描述：

    MOSFET N-Channel 600V Pwr Mosfet

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市鵬錦翔科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張經(jīng)理

  • 詢價(jià)：
  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北新欣大廈B座320

相近型號(hào)