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STD8N60DM2

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=600mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·PFCCircuits ·ACandDCMotorDrives

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

STD8N60DM2

N-channel 600 V, 550 m(ohm) typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STF8N60DM2

N-channel600V,550mΩtyp.,8AMDmeshTMDM2PowerMOSFETinaTO-220FPpackage

Features ?Fast-recoverybodydiode ?Extremelylowgatechargeandinput capacitance ?Lowon-resistance ?100avalanchetested ?Extremelyhighdv/dtruggedness ?Zener-protected Description ThishighvoltageN-channelPowerMOSFETis partoftheMDmesh?DM2fastrecoverydiode seri

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

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更多STD8N60DM2供應(yīng)商 更新時間2025-3-22 17:02:00

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