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SS8050-L

NPNTransistors

NPNTransistors Features ●CollectorCurrent:IC=1.5A

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司

SS8050LTIG

GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

SS8050T

NPNSiliconGeneralPurposeTransistor

FEATURES Powerdissipation PCM:1W CollectorCurrent ICM:1.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operating&storagejunctiontemperature Tj,Tstg:-55°C~+150°C

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SS8050-TA

Plastic-EncapsulateTransistors

FS

First Silicon Co., Ltd

SS8050W

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

SS8050W

TRANSISTOR(NPN)

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ComplimentarytoSS8550W

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科廣東時科微實業(yè)有限公司

SS8050W

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ●CollectorCurrent.(IC=1.5A） ●ComplementaryToSS8550W. ●Collectordissipation:PC=200mW(TC=25℃) APPLICATIONS ●HighCollectorCurrent.

DSK

Diode Semiconductor Korea

SS8050W

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ●CollectorCurrent.(IC=1.5A） ●ComplementaryToSS8550W. ●Collectordissipation:PC=200mW(TC=25℃) APPLICATIONS ●HighCollectorCurrent.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

SS8050W

NPNSiliconGeneralPurposeTransistor

FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W CollectorCurrent ICM:1.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operating&storagejunctiontemperature Tj,Tstg:-55°C~+150°C

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

ST8050

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandamplifierapplications. EspeciallysuitableforAF-driverstages andlowpoweroutputstages. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations.

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
粵晶
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更多SS8050KEY供應(yīng)商 更新時間2025-1-23 14:08:00

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