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SSS4N60B	文件：890.05 Kbytes Page：10 Pages	600V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
SSS4N60B	文件：264.92 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
SSTP4N60	文件：1.09041 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SSU4N60	文件：1.90689 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SSU4N60A	文件：346.36 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
SSU4N60B	文件：637.87 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
SSU4N60B	文件：1.90687 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SSU4N60B	文件：346.34 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
SSW4N60B	文件：642.56 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
SVD4N60T	文件：1.09029 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SVF4N60CADTR	文件：411.7 Kbytes Page：12 Pages	4A,600VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJisanN-channelenhancementmode powerMOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilan proprietaryF-CellTMhigh-voltageplanarVDMOStechnology.The improvedprocessandcellstructurehavebeenespeciallytailoredto minimizeon-stateres	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
SVF4N60CAF	文件：411.7 Kbytes Page：12 Pages	4A,600VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJisanN-channelenhancementmode powerMOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilan proprietaryF-CellTMhigh-voltageplanarVDMOStechnology.The improvedprocessandcellstructurehavebeenespeciallytailoredto minimizeon-stateres	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
SVF4N60CAK	文件：411.7 Kbytes Page：12 Pages	4A,600VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJisanN-channelenhancementmode powerMOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilan proprietaryF-CellTMhigh-voltageplanarVDMOStechnology.The improvedprocessandcellstructurehavebeenespeciallytailoredto minimizeon-stateres	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
SVF4N60CAMJ	文件：411.7 Kbytes Page：12 Pages	4A,600VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJisanN-channelenhancementmode powerMOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilan proprietaryF-CellTMhigh-voltageplanarVDMOStechnology.The improvedprocessandcellstructurehavebeenespeciallytailoredto minimizeon-stateres	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
SVF4N60CAMN	文件：411.7 Kbytes Page：12 Pages	4A,600VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJisanN-channelenhancementmode powerMOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilan proprietaryF-CellTMhigh-voltageplanarVDMOStechnology.The improvedprocessandcellstructurehavebeenespeciallytailoredto minimizeon-stateres	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
SVF4N60CAT	文件：411.7 Kbytes Page：12 Pages	4A,600VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJisanN-channelenhancementmode powerMOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilan proprietaryF-CellTMhigh-voltageplanarVDMOStechnology.The improvedprocessandcellstructurehavebeenespeciallytailoredto minimizeon-stateres	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
SVF4N60D	文件：1.07807 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SVF4N60MJ	文件：1.90686 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SVF4N60T	文件：1.09026 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SW4N60	文件：377.03 Kbytes Page：5 Pages	N-channelMOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER

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詳細參數(shù)

型號：
SSS4N60B
功能描述：
MOSFET NCh/600V/2.3a/2.5Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市高捷芯城科技有限公司	SSS4N60B	onsemi(安森美)	23+	-	7793	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。	詢價
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深圳市向鴻偉業(yè)電子有限公司	SSS4N60B	IR	2410+	TO-220	5200	原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯.	詢價
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深圳市弘為電子有限公司	SSS4N60B	FAIR	24+	原廠封裝	361	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
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更多SSS4N60B供應商更新時間2025-1-11 15:14:00

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