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MRF7S21210HSR3

RFPowerFieldEffectTransistorsN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs

2110--2170MHz,63WAVG.,28VSINGLEW--CDMALATERALN--CHANNELRFPOWERMOSFETs DesignedforCDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.CanbeusedinClassABandClassCforalltypicalcellularbasestationmodulationformats. ?TypicalSingle--CarrierW--CDMAP

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF7S21210HSR3

RFPowerFieldEffectTransistorN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFET

2110--2170MHz,63WAVG.,28VSINGLEW--CDMALATERALN--CHANNELRFPOWERMOSFETs DesignedforCDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.CanbeusedinClassABandClassCforalltypicalcellularbasestationmodulationformats. ?TypicalSingle--CarrierW--CDMAP

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

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更多SRF7S21210HSR3供應(yīng)商 更新時間2025-1-17 9:30:00