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22N60	文件：211.84 Kbytes Page：6 Pages	22A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
22N60	文件：241.12 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPOWERMOSFET DESCRIPTION AstheSMPSMOSFET,theUTC22N60usesUTC’sadvancedtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithlowgatevoltages.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES RDS(ON)=0.35? UltraLowGateCharge	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
ET-22N60	文件：986.23 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFET	ESTEKEstek Electronics Co. Ltd 伊泰克電子北京伊泰克電子有限公司	ESTEK
FCA22N60N	文件：532.87 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET600V,22A,0.165W	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FCA22N60N	文件：347.13 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=22A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=165mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FCH22N60N	文件：340.84 Kbytes Page：8 Pages	UltraLowGateCharge(Typ.Qg=45nC),LowEffectiveOutputCapacitance(Typ.Coss.eff=196.4pF)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FCP22N60N	文件：338.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FCP22N60N	文件：763.08 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelMOSFET600V,22A,0.165W Description TheSupreMOS?MOSFETisFairchildSemiconductor’snextgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)technologyemployingadeeptrenchfillingprocessthatdifferentiatesitfromtheconventionalSJMOSFETs.ThisadvancedtechnologyandpreciseprocesscontrolprovideslowestRspon	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FCPF22N60NT	文件：763.08 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelMOSFET600V,22A,0.165W Description TheSupreMOS?MOSFETisFairchildSemiconductor’snextgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)technologyemployingadeeptrenchfillingprocessthatdifferentiatesitfromtheconventionalSJMOSFETs.ThisadvancedtechnologyandpreciseprocesscontrolprovideslowestRspon	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
ICE22N60	文件：604.35 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	ICEMOS Icemos Technology	ICEMOS
ICE22N60	文件：961.58 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	MICROSS Micross Components	MICROSS
ICE22N60W	文件：959.93 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	MICROSS Micross Components	MICROSS
ICE22N60W	文件：605.59 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	ICEMOS Icemos Technology	ICEMOS
IRF22N60	文件：383.33 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導(dǎo)體尼爾半導(dǎo)體股份有限公司	NELLSEMI
IRFP22N60K	文件：445.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?SwitchingVoltageRegulators ?FEATURES ?Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=0.28?(MAX) ?Enhancementmode: Vth=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=0.25mA) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP22N60K	文件：150.15 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive ??Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt ??Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage ??andCurrent ?EnhancedBodyDiodedV/dtCapability ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC BENEFITS	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP22N60K	文件：172.39 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET Benefits ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?EnhancedBodyDiodedv/dtCapability Applications ?HardSwitchingPrimaryorPFSSwitch ?SwitchM	IRF International Rectifier	IRF
IRFP22N60K	文件：228.65 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement ?Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness ?Fullycharacterizedcapacitanceandavalanchevoltage andcurrent ?EnhancedbodydiodedV/dtcapability ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance ple	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP22N60KPBF	文件：150.15 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive ??Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt ??Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage ??andCurrent ?EnhancedBodyDiodedV/dtCapability ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC BENEFITS	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP22N60KPBF	文件：175.95 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?EnhancedBodyDiodedv/dtCapability Applications ?HardSwitchingPrimaryorPFSSwitch ?SwitchM	IRF International Rectifier	IRF

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深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	SIHP22N60S-ES	VISHAY	17+	NA	6200	100%原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
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更多SIHP22N60S-ES供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-19 16:00:00

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