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SIHFS9N60ATL	文件：165.8 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDrive ??Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt ??Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage ??andCurrent ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSupply(SMPS) ?Uninterruptib	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHFS9N60ATL-E3	文件：165.8 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDrive ??Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt ??Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage ??andCurrent ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSupply(SMPS) ?Uninterruptib	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
9N60	文件：63.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor DESCRITION ·Designedforhighefficiencyswitchmodepowersupply. FEATURES ·DrainCurrent–ID=8.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.0Ω(Max) ·AvalancheEnergySpecified ·FastSwitching ·SimpleD	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
BLV9N60	文件：374.44 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET	ESTEKEstek Electronics Co. Ltd 伊泰克電子北京伊泰克電子有限公司	ESTEK
FB9N60A	文件：135.44 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=600V,Rds(on)=0.75ohm,Id=9.2A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpower	IRF International Rectifier	IRF
FCD9N60N	文件：784.87 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FCD9N60NTM	文件：784.87 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FCD9N60NTM	文件：353.76 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=385mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FCP9N60N	文件：911.95 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelMOSFET600V,9A,0.385廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FCP9N60N	文件：336.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=385mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FCPF9N60NT	文件：651.06 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelSupreMOS?MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FCPF9N60NT	文件：911.95 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelMOSFET600V,9A,0.385廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FCPF9N60NT	文件：323.2 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=385mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFB9N60	文件：135.44 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=600V,Rds(on)=0.75ohm,Id=9.2A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpower	IRF International Rectifier	IRF
IRFB9N60A	文件：303.68 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFB9N60A	文件：135.44 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=600V,Rds(on)=0.75ohm,Id=9.2A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpower	IRF International Rectifier	IRF
IRFB9N60A	文件：329.36 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFB9N60A	文件：331.87 Kbytes Page：21 Pages	IRPLLNR5WideRangeInputLinearFluorescentBallast	IRF International Rectifier	IRF
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IRFB9N60APBF	文件：160.96 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications ?SwitchModePowerSupply(SMPS) ?UninterruptablePowerSupply ?Highspeedpowersw	IRF International Rectifier	IRF

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詳細參數(shù)

型號：
SIHFS9N60ATL
制造商：
VISHAY
制造商全稱：
Vishay Siliconix
功能描述：
Power MOSFET

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市國宇半導體科技有限公司	SiHFSL11N50A	VISHAY/威世	23+	TO-263	10000	公司只做原裝正品	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	SIHFSL11N50A	VISHAY/威世	TO-263	22+	6000	十年配單,只做原裝	詢價
貿澤芯城（深圳）電子科技有限公司	SiHFSL11N50A	VISHAY/威世	23+	TO-263	11200	原廠授權一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO	詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	SIHFSL11N50A	VISHAY/威世	22+	TO-263	25000	只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單	詢價
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	SiHFSL11N50A	Vishay	24+	TO-263	12300	獨立分銷商公司只做原裝誠心經營免費試樣正品保證	詢價
深圳市誠中源科技有限公司	SIHFSL9N60A-GE3	VISHAY	21+	TO-220	9866		詢價
深圳市仟禧電子有限公司	SiHFU014	VISHAY/威世	22+	TO-251	20000	保證原裝正品,假一陪十	詢價
京海半導體(深圳)有限公司	SiHFU014	VISHAY/威世	21+	TO-251	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
深圳市維爾達電子有限公司	SiHFU014	ir	2023+	TO-251	80000	一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢十年芯程一路只做原裝正品	詢價
深圳市金芯世紀電子有限公司	SiHFU014	VISHAY/威世	22+	TO-251	100000	代理渠道/只做原裝/可含稅	詢價

更多SIHFS9N60ATL供應商更新時間2025-1-5 10:06:00

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