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SIHF23N60E	文件：183.99 Kbytes Page：9 Pages	E Series Power MOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF23N60E	文件：319.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SIHF23N60E	文件：181.4 Kbytes Page：8 Pages	Reduced switching and conduction losses	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF23N60E_V01	文件：183.99 Kbytes Page：9 Pages	E Series Power MOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
FMH23N60E	文件：585.96 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
FMH23N60ES	文件：585.01 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
FMR23N60E	文件：324.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FMR23N60E	文件：592.4 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
FMR23N60ES	文件：576.1 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
G23N60UF	文件：607.18 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)UFDseriesprovideslowconductionandswitchinglosses.UFDseriesisdesignedfortheapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswhereHighSpeedSwitchingisrequired. Features ?HighSpeedSwitching ?Low	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
G23N60UFD	文件：607.18 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)UFDseriesprovideslowconductionandswitchinglosses.UFDseriesisdesignedfortheapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswhereHighSpeedSwitchingisrequired. Features ?HighSpeedSwitching ?Low	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IXFH23N60Q	文件：337.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.32Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFH23N60Q	文件：580.04 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFT23N60Q	文件：580.04 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTQ23N60Q	文件：301.42 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTQ23N60Q	文件：538.07 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSFETsQ-Class	IXYS IXYS Corporation	IXYS
SFF23N60M	文件：169.82 Kbytes Page：2 Pages	AvalancheRatedN-channelMOSFET	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SFF23N60Z	文件：169.82 Kbytes Page：2 Pages	AvalancheRatedN-channelMOSFET	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SGF23N60UF	文件：543.34 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)UFseriesprovideslowconductionandswitchinglosses. UFseriesisdesignedfortheapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswhereHighSpeedSwitchingisrequired. Features ?HighSpeedSwitching ?LowS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SGF23N60UFD	文件：607.18 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)UFDseriesprovideslowconductionandswitchinglosses.UFDseriesisdesignedfortheapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswhereHighSpeedSwitchingisrequired. Features ?HighSpeedSwitching ?Low	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
SIHF23N60E
制造商：
Vishay Semiconductors
功能描述：
MOSFETS - Tape and Reel
制造商：
Vishay Siliconix
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 23A TO-220
制造商：
Vishay Intertechnologies
功能描述：
MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS
功能描述：
N-CHANNEL 650V

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	SIHF23N60E	VBsemi	23+	TO220	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	SIHF23N60E	VBSEMI/臺(tái)灣微碧	23+	TO220	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	SiHF23N60E	VISHAY/威世	2022+	TO-220F	50000	原廠代理終端免費(fèi)提供樣品	詢價(jià)
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	SIHF23N60E	VBsemi	21+	TO220	5800	一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	SIHF23N60E	VBsemi	2214+	TO220	1623	一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	SIHF23N60E	VBSEMI/臺(tái)灣微碧	23+	TO220	20000	原裝正品歡迎咨詢	詢價(jià)
海芯未來(lái)半導(dǎo)體電子（深圳）有限公司	SIHF23N60E	VBsemi	24+	TO220	1623		詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	SIHF23N60E	VISHAY/威世	2022+	TO-220F	30000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝假一罰十	詢價(jià)
深圳市中聯(lián)芯電子有限公司	SIHF23N60E	VBsemi	24+	TO220	11000	假一賠百原裝正品價(jià)格優(yōu)勢(shì)實(shí)單可談	詢價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	SIHF23N60E	VBsemi	24+	TO220	5000	全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售	詢價(jià)

更多SIHF23N60E供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-18 13:00:00

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