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FMH23N60ES	文件：585.01 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET	FujiFuji Electric 富士電機富士電機株式會社	Fuji
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G23N60UF	文件：607.18 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)UFDseriesprovideslowconductionandswitchinglosses.UFDseriesisdesignedfortheapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswhereHighSpeedSwitchingisrequired. Features ?HighSpeedSwitching ?Low	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
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SGH23N60UF	文件：246.89 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELIGBT FEATURES HighSpeedSwitching LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.95V(@Ic=12A) HighInputImpedance APPLICATIONS AC&DCMotorcontrols GeneralPurposeInverters Robotics,ServoControls PowerSupply LampBallast	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
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詳細(xì)參數(shù)

型號：
FMH23N60ES
制造商：
FUJI
制造商全稱：
Fuji Electric
功能描述：
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	FMH23N60ES	FUJI/富士電機	2022+	TO-3P	30000	進口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝假一罰十	詢價

更多FMH23N60ES供應(yīng)商更新時間2025-1-14 16:04:00

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