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SIHA6N65E-GE3

ESeriesPowerMOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHB6N65E-GE3

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHD6N65E-GE3

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    SIHF6N65E-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 650V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    7 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.6 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 封裝:

    Bulk

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更多SIHF6N65E-GE3供應(yīng)商 更新時間2024-12-27 16:21:00