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SIHP12N65E

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Ser

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SK12N65B-T

650VN-chPlanarMOSFET

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科廣東時科微實業(yè)有限公司

SK12N65B-TF

650VN-chPlanarMOSFET

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科廣東時科微實業(yè)有限公司

SLB12N65C

650VN-ChannelMOSFET

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美普森深圳市美普森半導體有限公司

SLF12N65C

650VN-ChannelMOSFET

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美普森深圳市美普森半導體有限公司

SLF12N65S

650VN-ChannelMOSFET

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美普森深圳市美普森半導體有限公司

SLI12N65C

650VN-ChannelMOSFET

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美普森深圳市美普森半導體有限公司

SLP12N65C

650VN-ChannelMOSFET

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美普森深圳市美普森半導體有限公司

SLP12N65S

650VN-ChannelMOSFET

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美普森深圳市美普森半導體有限公司

SSE12N65SL

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SIHB12N65E

  • 功能描述：

    MOSFET 650V 392mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay/Siliconix

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    700 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    20 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    12 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.392 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    D2PAK-3

  • 封裝：

    Bulk

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY/威世
2022+
TO-263
50000
原廠代理 終端免費提供樣品
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D2PAK(TO-263)
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原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
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VISHAY/威世
2022+
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進口原裝現(xiàn)貨供應,原裝 假一罰十
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VISHAY/威世
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現(xiàn)貨很近!原廠很遠!只做原裝
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12300
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
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正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品做服務做口碑有支持
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更多SIHB12N65E供應商 更新時間2025-4-8 14:00:00

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