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SIHB12N65E

E Series Power MOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Ser

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SIHB12N65E

E Series Power MOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SIHB12N65E

iscN-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SIHB12N65E_V01

E Series Power MOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SIHF12N65E

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

SIHF12N65E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SIHF12N65E

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Ser

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SIHP12N65E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SIHP12N65E

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

SIHP12N65E

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SIHP12N65E

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Ser

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SK12N65B-T

650VN-chPlanarMOSFET

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科廣東時科微實業(yè)有限公司

SK12N65B-TF

650VN-chPlanarMOSFET

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科廣東時科微實業(yè)有限公司

SLB12N65C

650VN-ChannelMOSFET

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美普森深圳市美普森半導體有限公司

SLF12N65C

650VN-ChannelMOSFET

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美普森深圳市美普森半導體有限公司

SLF12N65S

650VN-ChannelMOSFET

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美普森深圳市美普森半導體有限公司

SLI12N65C

650VN-ChannelMOSFET

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美普森深圳市美普森半導體有限公司

SLP12N65C

650VN-ChannelMOSFET

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美普森深圳市美普森半導體有限公司

SLP12N65S

650VN-ChannelMOSFET

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美普森深圳市美普森半導體有限公司

SSE12N65SL

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

詳細參數

  • 型號：

    SIHB12N65E

  • 功能描述：

    MOSFET 650V 392mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay/Siliconix

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    700 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    20 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    12 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.392 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    D2PAK-3

  • 封裝：

    Bulk

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY/威世
23+
D2PAK(TO-263)
10000
公司只做原裝正品
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VISHAY/威世
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TO-263
50000
原廠代理 終端免費提供樣品
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VISHAY/威世
23+
D2PAK(TO-263)
11200
原廠授權一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
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VISHAY/威世
2022+
TO-263
30000
進口原裝現貨供應,原裝 假一罰十
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更多SIHB12N65E供應商 更新時間2024-12-28 14:30:00

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