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SIHB12N60E-GE3

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

SIHA12N60E-GE3

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHF12N60E-GE3

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHP12N60E-GE3

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    SIHB12N60E-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Vishay(威世)
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標(biāo)準(zhǔn)封裝
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原廠直銷,大量現(xiàn)貨庫存,交期快。價格優(yōu),支持賬期
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Vishay Siliconix
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D2PAK(TO-263)
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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VISHAY/威世
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TO-263
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只做原廠渠道 可追溯貨源
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更多SIHB12N60E-GE3供應(yīng)商 更新時間2025-4-9 20:00:00