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SIHP12N60E-GE3

E Series Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SIHA12N60E-GE3

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SIHB12N60E-GE3

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

SIHF12N60E-GE3

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SIHP12N60E-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Vishay Siliconix
24+
TO-220AB
30000
晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
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VISHAY/威世
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只做原廠渠道 可追溯貨源
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Vishay(威世)
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更多SIHP12N60E-GE3供應商 更新時間2025-2-4 14:14:00

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