訂購數(shù)量 | 價格 |
---|---|
1+ |
首頁>SIB417EDK-T1-GE3>芯片詳情
SIB417EDK-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 8.0V 9.0A 13W 58mohm @ 4.5V柒號芯城
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SIB417EDK-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET 8.0V 9.0A 13W 58mohm @ 4.5V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
連小若
- 手機:
18922805453
- 詢價:
- 電話:
0755-83663056
- 傳真:
0755-83209937
- 地址:
福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓
相近型號
- SIAA00DJ-T1-GE3
- SIB452DK-T1-GE3
- SIB456DK-T1-GE3
- SIA975DJ-T1-GE3
- SIB457EDK-T1-GE3
- SIA975DJ
- SIB660BA-B-IS1
- SIA950DJ-T1-GE3
- SIB911DK-T1-GE3
- SIA938DJT-T1-GE3
- SIB912DK-T1-GE3
- SIA931DJ-T1-GE3
- SIB914DK-T1-GE3
- SIA931DJ
- SIBA5-JRAB-DKL
- SIA929DJ-T1-GE3
- SIBA5-JREB-DKL
- SIA928DJ-T1-GE3
- SIBA-JRA
- SIA923EDJ-T4-GE3
- SIBA-JRAB
- SIBA-JRE
- SIA923EDJ-T1-GE3
- SIBA-JREB
- SIA923AEDJ-T1-GE3
- SIC163
- SIC228
- SIA922EDJ-T1-GE3
- SIC32201CD-T1E3
- SIA921EDJ-TI-GE3IC
- SIC33209F01E2
- SIC33209FOOE2
- SIA921EDJ-T1-GE3
- SIC33SOIF00A3
- SIA921EDJ
- SIC401ACD-T1-GE3
- SIA918EDJ-T1-GE3
- SIC401BCD-T1-GE3
- SIC402ACD-T1-GE3
- SIA914DJ-T1-GE3
- SIC402BCD-T1-GE3
- SIA914ADJ-T1-GE3
- SIC403ACD-T1-GE3
- SIC403BCD-T1-GE3
- SIA913ADJ-T1-GE3
- SIC403CD-T1-GE3
- SIA912DJ-T1-GE3
- SIC413CB-T1-E3
- SIA911DJ-T1-GE3
- SIC414CD-T1-GE3