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首頁>SIA929DJ-T1-GE3>芯片詳情
SIA929DJ-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET -30V 64mOhm@10V 4.5A P-Ch G-III柒號芯城
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SIA929DJ-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET -30V 64mOhm@10V 4.5A P-Ch G-III
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商
- 企業(yè):
柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
連小若
- 手機:
18922805453
- 詢價:
- 電話:
0755-83663056
- 傳真:
0755-83209937
- 地址:
福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓
相近型號
- SIA975DJ-T1-GE3
- SIA922EDJ-T1-GE3
- SIAA00DJ-T1-GE3
- SIA921EDJ-TI-GE3IC
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- SIAT082SP4-J
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- SIBA-JRA
- SIA906EDJ-T1-GE3
- SIBA-JRAB
- SIA817EDJ-T1-GE3
- SIBA-JRE
- SIA817EDJ
- SIBA-JREB
- SIA811DJ-T1-GE3
- SIC163
- SIA811ADJ-T1-GE3
- SIC228
- SIA537EDJ-T1-GE3
- SIC32201CD-T1E3
- SIA537EDJ