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RJP60F0DPM分立半導體產品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

RJP60F0DPM
廠商型號

RJP60F0DPM
參數(shù)屬性

RJP60F0DPM 封裝/外殼為TO-220-3 整包；包裝為管件；類別為分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單；產品描述：IGBT 600V 50A 40W TO-3PFM
功能描述

600 V - 25 A - IGBT High Speed Power Switching
IGBT 600V 50A 40W TO-3PFM
文件大小

86.06 Kbytes
頁面數(shù)量

7 頁
生產廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS【瑞薩】

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-19 20:00:00

RJP60F0DPM規(guī)格書詳情

RJP60F0DPM屬于分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。瑞薩科技有限公司制造生產的RJP60F0DPM晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產品屬性

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  • 產品編號：

    RJP60F0DPM-00#T1

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.82V @ 15V，25A

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    46ns/70ns

  • 測試條件：

    400V，30A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商器件封裝：

    TO-3PFM

  • 描述：

    IGBT 600V 50A 40W TO-3PFM

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
瑞薩
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TO-3PF
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