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RJP6065DPM中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RJP6065DPM
廠商型號

RJP6065DPM

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

文件大小

87.98 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-31 16:42:00

RJP6065DPM規(guī)格書詳情

* Low collector to emitter saturation voltage

VCE(sat)= 1.8 V typ. (IC= 40 A, VGE= 15V, Ta = 25°C)

?

* Gate to emitter voltage rating ?30 V

* Pb-free lead plating and chip bonding

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    RJP6065DPM

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
RENESAS
589220
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
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RENESAS
22+
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只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
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百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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