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RJP60D0DPM分立半導體產品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
RJP60D0DPM |
| 參數(shù)屬性 | RJP60D0DPM 封裝/外殼為TO-220-3 整包；包裝為管件；類別為分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單；產品描述：IGBT 600V 45A 40W TO-3PFM |
| 功能描述 | Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching |
| 文件大小 |
81.56 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
7 頁 |
| 生產廠商 | Renesas Technology Corp |
| 企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-11-19 20:00:00 |
RJP60D0DPM規(guī)格書詳情
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
Features
? Short circuit withstand time (5 ?s typ.)
? Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat)= 1.6 V typ. (IC= 22 A, VGE= 15V, Ta = 25°C)
? Gate to emitter voltage rating ?30 V
? Pb-free lead plating and chip bonding
RJP60D0DPM屬于分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。瑞薩科技有限公司制造生產的RJP60D0DPM晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
產品屬性
更多- 產品編號：
RJP60D0DPM-00#T1
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，22A
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關）值：
35ns/90ns
- 測試條件：
300V，22A，5 歐姆，15V
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應商器件封裝：
TO-3PFM
- 描述：
IGBT 600V 45A 40W TO-3PFM
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
瑞薩 |
24+ |
TO220F |
58000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術支持、樣品免費! |
詢價 | ||
Renesas Electronics America |
2022+ |
TO-3PFM |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
22+ |
TO-3P |
25000 |
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
TO-3PFM |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價 | ||
Renesas |
24+ |
N/A |
5000 |
只做原裝正品上傳就有貨假一賠十 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
22+ |
TO-3P |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
TO-TO-220F |
11200 |
原廠授權一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO |
詢價 | ||
24+ |
N/A |
65000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇 |
詢價 | |||
RENESAS |
24+ |
TO-3P |
35400 |
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證 |
詢價 | ||
Renesas |
20+ |
N/A |
78 |
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詢價 |
