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RFD12N06	文件：503.43 Kbytes Page：7 Pages	60V N-Channel MOSFET Features ?UltraLowOn-Resistance -RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
RFD12N06RLE	文件：215.95 Kbytes Page：10 Pages	17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features ?UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.063?,VGS=10V -rDS(ON)=0.071?,VGS=5V ?SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE?andSABER? ElectricalModels -SpiceandSABER?ThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com ?PeakCurrentvsPulse	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
RFD12N06RLE	文件：49.12 Kbytes Page：6 Pages	12A, 60V, 0.135 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFETs TheseN-ChannellogiclevelESDprotectedpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforusewithlogic	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFD12N06RLESM	文件：215.95 Kbytes Page：10 Pages	17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features ?UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.063?,VGS=10V -rDS(ON)=0.071?,VGS=5V ?SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE?andSABER? ElectricalModels -SpiceandSABER?ThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com ?PeakCurrentvsPulse	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
RFD12N06RLESM	文件：49.12 Kbytes Page：6 Pages	12A, 60V, 0.135 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFETs TheseN-ChannellogiclevelESDprotectedpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforusewithlogic	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFD12N06RLESM9A	文件：503.43 Kbytes Page：7 Pages	60V N-Channel MOSFET Features ?UltraLowOn-Resistance -RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
RFD12N06RLESM9A	文件：844.26 Kbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features ?VDS=60V,ID=30A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
RFD12N06LESM	文件：897.04 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
RFD12N06RLESM	文件：896.99 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
RFP12N06	文件：215.95 Kbytes Page：10 Pages	17A,60V,0.071Ohm,N-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFET Features ?UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.063?,VGS=10V -rDS(ON)=0.071?,VGS=5V ?SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE?andSABER? ElectricalModels -SpiceandSABER?ThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com ?PeakCurrentvsPulse	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
RFP12N06RLE	文件：49.12 Kbytes Page：6 Pages	12A,60V,0.135Ohm,N-Channel,LogicLevel,PowerMOSFETs TheseN-ChannellogiclevelESDprotectedpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforusewithlogic	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFP12N06RLE	文件：215.95 Kbytes Page：10 Pages	17A,60V,0.071Ohm,N-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFET Features ?UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.063?,VGS=10V -rDS(ON)=0.071?,VGS=5V ?SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE?andSABER? ElectricalModels -SpiceandSABER?ThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com ?PeakCurrentvsPulse	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
RFP12N06RLE	文件：1.31321 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SDP12N06	文件：1.1062 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SG12N06DP	文件：202.12 Kbytes Page：2 Pages	DiscreteIGBTs	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽萊克半導(dǎo)體深圳市矽萊克半導(dǎo)體有限公司	SIRECT
SG12N06DP	文件：198.75 Kbytes Page：2 Pages	DiscreteIGBTs	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司	SIRECTIFIER
SG12N06DT	文件：108.84 Kbytes Page：2 Pages	DiscreteIGBTs	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司	SIRECTIFIER
SG12N06DT	文件：112.49 Kbytes Page：2 Pages	DiscreteIGBTs	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽萊克半導(dǎo)體深圳市矽萊克半導(dǎo)體有限公司	SIRECT
SG12N06P	文件：198.75 Kbytes Page：2 Pages	DiscreteIGBTs	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司	SIRECTIFIER
SG12N06P	文件：202.12 Kbytes Page：2 Pages	DiscreteIGBTs	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽萊克半導(dǎo)體深圳市矽萊克半導(dǎo)體有限公司	SIRECT

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
RFD12N06
功能描述：
MOSFET 60V/12a/0.135Ohm NCh Logic Level
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	RFD12N06	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-252	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	RFD12N06	FAIRCHILD/仙童	22+	TO-252	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	RFD12N06	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-252	6000	原裝正品，支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	RFD12N06	FAIRCHILD/仙童	22+	TO-252	25000	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	RFD12N06	FAIRCHILD	24+	TO-252	12300	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	RFD12N06RL		24+		5000	公司存貨	詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	RFD12N06RLESM	仙童	06+	TO-252	12000	原裝	詢價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	RFD12N06RLESM	FAIRCHILD	23+	TO-252	9526		詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	RFD12N06RLE	FAIRCHILD	23+	SOT252	7780	全新原裝優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	RFD12N06RLESM	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)

更多RFD12N06供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-25 14:30:00

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