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RFD12N06RLESM中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

RFD12N06RLESM
廠商型號(hào)

RFD12N06RLESM

功能描述

17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET

文件大小

215.95 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-26 15:16:00

RFD12N06RLESM規(guī)格書詳情

Features

? Ultra Low On-Resistance

- rDS(ON) = 0.063?, VGS = 10V

- rDS(ON) = 0.071?, VGS = 5V

? Simulation Models

- Temperature Compensated PSPICE? and SABER?

Electrical Models

- Spice and SABER? Thermal Impedance Models

- www.fairchildsemi.com

? Peak Current vs Pulse Width Curve

? UIS Rating Curve

? Switching Time vs RGS Curves

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    RFD12N06RLESM

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor Corporation

  • 功能描述:

    MOSFET N D-PAK

  • 功能描述:

    MOSFET, N, D-PAK

  • 功能描述:

    MOSFET, N, D-PAK; Transistor

  • Polarity:

    N Channel; Continuous Drain Current

  • Id:

    17A; Drain Source Voltage

  • Vds:

    60V; On Resistance

  • Rds(on):

    70mohm; Rds(on) Test Voltage

  • Vgs:

    10V; Threshold Voltage Vgs

  • Typ:

    3V; Power Dissipation

  • Pd:

    49W ;RoHS

  • Compliant:

    Yes

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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