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PDTB123EQA分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書(shū)PDF中文資料

PDTB123EQA
廠商型號(hào)

PDTB123EQA

參數(shù)屬性

PDTB123EQA 封裝/外殼為3-XDFN 裸露焊盤(pán);包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS PNP 3DFN

功能描述

50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistors

絲印標(biāo)識(shí)

010101

封裝外殼

DFN1010D-3 / 3-XDFN 裸露焊盤(pán)

文件大小

3.67682 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

23 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-23 23:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PDTB123EQAZ

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類(lèi)型:

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 50mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    100mV @ 2.5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    3-XDFN 裸露焊盤(pán)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DFN1010D-3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 3DFN

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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