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PDTB123EK分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

PDTB123EK
廠商型號

PDTB123EK

參數(shù)屬性

PDTB123EK 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

功能描述

PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k廓, R2 = 2.2 k廓
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

文件大小

138.17 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-2 20:00:00

PDTB123EK規(guī)格書詳情

PDTB123EK屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置。恩智浦半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的PDTB123EK晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置預(yù)偏置雙極晶體管具有內(nèi)部電阻器,設(shè)計用于在未施加輸入信號的情況下將器件保持在偏置或工作點附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作,并產(chǎn)生穩(wěn)定、無失真的輸出信號。預(yù)偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數(shù)量,從而可降低項目成本。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    PDTB123EK,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 50mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 2.5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SMT3; MPAK

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NXP/恩智浦
23+
NA/
25
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05+
SOT-23
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NXP SEMICONDUCTORS
2023+
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NXP/恩智浦
21+
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9850
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PHILIPS
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NXP/恩智浦
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