PDTB123E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PDTB123E |
| 參數(shù)屬性 | PDTB123E 封裝/外殼為3-XDFN 裸露焊盤；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置；產(chǎn)品描述：TRANS PREBIAS PNP 3DFN |
| 功能描述 | PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k廓, R2 = 2.2 k廓 |
| 封裝外殼 | 3-XDFN 裸露焊盤 |
| 文件大小 |
138.17 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
| 企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-23 23:00:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
PDTB123EQAZ
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
PNP - 預(yù)偏壓
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 50mA，5V
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
100mV @ 2.5mA，50mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
500nA
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
3-XDFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：
DFN1010D-3
- 描述：
TRANS PREBIAS PNP 3DFN
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
23+ |
SOT323(SC70) |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當天可交貨!免費送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢價 | ||
NXP/恩智浦 |
23+ |
NA/ |
3000 |
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詢價 | ||
PHI |
23+ |
SOT23-3 |
4500 |
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Nexperia(安世) |
23+ |
SOT3233 |
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NXP |
22+ |
SOP |
9852 |
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NXP/恩智浦 |
SOT-883 |
90000 |
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SOT-23 |
23+ |
NA |
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PHILIPS |
589220 |
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詢價 | ||||
NXP/恩智浦 |
21+ |
SOT-883 |
8080 |
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詢價 | ||
NXP US |
21+ |
25000 |
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詢價 |
