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NX6350EP33-AZ

LASER DIODE 1 270/1 290/1 310/1 330 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 40GBASE-LR4 APPLICATION

CEL

California Eastern Labs

NX6350EP33

LASERDIODE

1270/1290/1310/1330nmAlGaInAsMQW-DFBLASERDIODE FOR40GBASE-LR4APPLICATION DESCRIPTION TheNX6350EPseriesisa1270/1290/1310/1330nmMultipleQuantum Well(MQW)structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewith InGaAsmonitorPIN-PD. APPLICATIONS ?40GBASE-LR4 ?Bi-D

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多NX6350EP33-AZ供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-16 12:02:00

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