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NX6351GP35

LASER DIODE

1270/1290/1310/1330/1350nmAlGaInAsMQW-DFBLASERDIODE FOR9.8Gb/sCPRIand10GE-PONONUAPPLICATION DESCRIPTION TheNX6351GPseriesisa1270/1290/1310/1330/1350nmMultiple QuantumWell(MQW)structuredDistributedFeed-Back(DFB)laser diodewithInGaAsmonitorPIN-PD. APP

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NX6351GP35-AZ

1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 9.8Gbps CPRI, 10G Ethernet APPLICATION

CEL

California Eastern Labs

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Renesas
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更多NX6351GP35供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-16 12:02:00

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