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NX6352GP35-AZ

LASER DIODE 1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE

CEL

California Eastern Labs

NX6352GP35

LASERDIODE

1270/1290/1310/1330/1350nmAlGaInAsMQW-DFBLASERDIODE FOR9.8Gb/sCPRIand10GE-PONONUAPPLICATION DESCRIPTION TheNX6352GPseriesisa1270/1290/1310/1330/1350nmMultiple QuantumWell(MQW)structuredDistributedFeed-Back(DFB)laser diodewithInGaAsmonitorPIN-PD. APP

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多NX6352GP35-AZ供應(yīng)商 更新時間2024-11-16 12:02:00

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