NTBG160N120SC1中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	NTBG160N120SC1
功能描述	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 160 mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L
文件大小	329.24 Kbytes
頁面數(shù)量	8 頁
生產(chǎn)廠商	ON Semiconductor
企業(yè)簡稱	ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】
中文名稱	安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間	2025-2-14 20:00:00

Features

? Typ. RDS(on) = 160 m

? Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 33.8 nC)

? Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 50.7 pF)

? 100 Avalanche Tested

? TJ = 175°C

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

? UPS

? DC-DC Converter

? Boost Inverter

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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