NTBG045N065SC1_V01中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	NTBG045N065SC1_V01
功能描述	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 31 mohm, 650V, M2, D2PAK-7L
文件大小	325.13 Kbytes
頁面數(shù)量	8 頁
生產(chǎn)廠商	ON Semiconductor
企業(yè)簡稱	ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】
中文名稱	安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間	2025-2-11 20:00:00

Features

? Typ. RDS(on) = 31 m @ VGS = 18 V

Typ. RDS(on) = 45 m @ VGS = 15 V

? Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 105 nC)

? Low Effective Output Capacitance (Coss = 168 pF)

? 100 Avalanche Tested

? TJ = 175°C

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

? SMPS (Switching Mode Power Supplies)

? Solar Inverters

? UPS (Uninterruptable Powere Supplies)

? Energy Storages

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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