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NTBG040N120SC1_V01中文資料安森美半導體數據手冊PDF規(guī)格書

NTBG040N120SC1_V01
廠商型號

NTBG040N120SC1_V01

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 40 mohm, 1200V, M1, D2PAK-7

文件大小

333.69 Kbytes

頁面數量

8

生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-2-14 20:00:00

NTBG040N120SC1_V01規(guī)格書詳情

Features

? Typ. RDS(on) = 40 m

? Ultra Low Gate Charge (Typ. QG(tot) = 106 nC)

? Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss = 139 pF)

? 100 Avalanche Tested

? TJ = 175°C

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

? UPS

? DC-DC Converter

? Boost Inverter

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