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NSVMMBTH81LT3G_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-雙極（BJT）-射頻-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號：NSVMMBTH81LT3G品牌：onsemi

資料說明：SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V

NSVMMBTH81LT3G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的NSVMMBTH81LT3G晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號：

    nsvmmbth81lt3g

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說明：

    SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NSVMMBTH81LT3G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    20V

  • 頻率 - 躍遷：

    600MHz

  • 功率 - 最大值：

    225mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    60 @ 5mA，10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    50mA

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-3

  • 描述：

    SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON
24+
SOT-23 (TO-236)
25000
ON全系列可訂貨
 詢價
三年內(nèi)
1983
納立只做原裝正品13590203865
 詢價
ON/安森美
2021+
SMD
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SOT23
50000
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15+
SOT23
100
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ON
23+
原廠原封
18000
訂貨1周 原裝正品
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SOT23
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ON Semiconductor
2022+
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ON
589220
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