15GN03CA-TB-E_分立半導體產(chǎn)品 晶體管-雙極(BJT)-射頻-安森美半導體

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原廠料號:15GN03CA-TB-E品牌:onsemi

資料說明:RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3CP

15GN03CA-TB-E是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻。制造商ONSEMI/安森美半導體生產(chǎn)封裝TO-236-3,SC-59,SOT-23-3的15GN03CA-TB-E晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件,用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號:

    15gn03ca-tb-e

  • 規(guī)格書:

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  • 企業(yè)簡稱:

    ONSEMI【安森美半導體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導體公司

  • 資料說明:

    RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3CP

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    15GN03CA-TB-E

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    10V

  • 頻率 - 躍遷:

    1.5GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1.6dB @ 0.4GHz

  • 增益:

    13dB @ 0.4GHz

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 10mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    70mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    3-CP

  • 描述:

    RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3CP

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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