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NSVMMUN2112LT1G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置 PULSECORE/安森美

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  • 廠家型號(hào)：

    NSVMMUN2112LT1G

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    PULSECORE/安森美

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    50000

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT23

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-5 13:00:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：NSVMMUN2112LT1G品牌：ON

全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨

  • 芯片型號(hào)：

    NSVMMUN2112LT1G

  • 規(guī)格書(shū)：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    12 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    182.71 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Digital Transistors (BRT)

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NSVMMUN2112LT1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    60 @ 5mA，10V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    250mV @ 300μA，10mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    500nA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-3（TO-236）

  • 描述：

    TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市安富世紀(jì)電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    謝云

  • 手機(jī)：

    19924902278

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83204142

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)A棟17e

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