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NSS1C200LT1G分立半導體產(chǎn)品晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

NSS1C200LT1G
廠商型號

NSS1C200LT1G
參數(shù)屬性

NSS1C200LT1G 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
功能描述

100 V, 3.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
文件大小

72.7 Kbytes
頁面數(shù)量

5 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊到原廠下載
更新時間

2024-11-16 14:48:00

NSS1C200LT1G規(guī)格書詳情

NSS1C200LT1G屬于分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個。安森美半導體公司制造生產(chǎn)的NSS1C200LT1G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    NSS1C200LT1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    250mV @ 200mA，2A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    120 @ 50mA，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    120MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應商器件封裝：

    SOT-23-3（TO-236）

  • 描述：

    TRANS PNP 100V 2A SOT23-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON/安森美
21+
SOT-23
9800
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ON/安森美
23+
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23+
NA
6000
可訂貨,請確認
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ON
2023+
SOT-23
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