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NSS12601CF8T1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NSS12601CF8T1G |
| 參數(shù)屬性 | NSS12601CF8T1G 封裝/外殼為8-SMD，扁平引線；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 12V 6A CHIPFET |
| 功能描述 | 12 V, 8.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor |
| 文件大小 |
88.79 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2024-11-16 14:16:00 |
NSS12601CF8T1G規(guī)格書詳情
NSS12601CF8T1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)。安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NSS12601CF8T1G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
NSS12601CF8T1G
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
120mV @ 400mA，4A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 1A，2V
- 頻率 - 躍遷：
140MHz
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
8-SMD，扁平引線
- 供應(yīng)商器件封裝：
ChipFET?
- 描述：
TRANS NPN 12V 6A CHIPFET
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
21+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
onsemi |
24+ |
8-SMD,扁平引線 |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價(jià) | ||
onsemi(安森美) |
23+ |
1206A-03 |
3022 |
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù) |
詢價(jià) | ||
ON |
23+ |
1206AChipFET |
7750 |
全新原裝優(yōu)勢 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
2018+ |
7695 |
詢價(jià) | ||||
PTIF |
2023+ |
80000 |
一級代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品 |
詢價(jià) | |||
ONSemiconductor |
24+ |
ChipFET |
7500 |
詢價(jià) | |||
ON |
22+ |
NA |
3290 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
PTIF |
2310+ |
SOP/DIP |
3699 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝現(xiàn)貨,可全系列訂貨 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
23+ |
7695 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) |
